第三類就是一些新材料，到目前為止，還不確定那種更具有市場價值，都在成長期，我們堅信未來會有更多的霍爾芯片填補市場的空白，但目前基本就是這個現(xiàn)狀了。之所以強調(diào)小電流傳感器未來追求的一定是低功耗高集成之路只因為材質(zhì)不同傳感器表現(xiàn)出來的性能差異性是非常大的。

不是說砷化鎵 GaAs，砷化銦 InAs就一定比硅基的好。不同的應用場合有不同的要求，各有優(yōu)勢，例如硅基的，溫度性能就相對很好。對與一些有高低溫要求的**，或者物聯(lián)網(wǎng)極端環(huán)境采集，硅基的表現(xiàn)是很好的。

（銻化銦InSb非線性器件，溫度性能相對很差，掌握核心技術(shù)的AKM公司也不斷的對產(chǎn)品進行升級，但是除了靈敏度以外，其他幾乎看不到太大的優(yōu)勢，隨著硅基的和新材料的發(fā)展，和市場對于精度的要求，幾乎已經(jīng)喪失市場價值）。

以上可以看出，不同材質(zhì)的芯片有不同的性能表現(xiàn)。

而基于以上材料所封裝的IC，就是我們選擇適合自己產(chǎn)品的基本依據(jù)。

我們只所以說小電流適合ASIC的封裝，是因為兩點：

1、50A以下電流，市場需求逐年增加，非常大，霍爾的芯片相當于與互感器不便的是，霍爾是有源的，互感器無源，好處是，霍爾不需要后級電路保護，可直接采集，選用芯片霍爾，體積小，對空間要求低，生產(chǎn)工業(yè)方便，這些都是互感器所不具備的；

2、消費類電子或者一些用量較大的行業(yè)，芯片類傳感器性能穩(wěn)定，產(chǎn)品一致性好，不 良率可以輕松實現(xiàn)5PPM，而對于組件式霍爾幾乎是不可能的。

當然目前的霍爾電流傳感器芯片還有很多不成熟的地方，但隨著市場的需求和產(chǎn)品不斷的升級，優(yōu)化，一定會越來越好，按照一般IC的發(fā)展周期，五年內(nèi)，組件式小電流霍爾傳感器終將退出歷史舞臺，這是必然！